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参数资料
| 型号： | 2SC5736-FB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2SC5736-FB |
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Data Sheet P15437EJ1V0DS
6
2SC5736
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
20
5
10
15
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
20
5
10
15
0
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5736-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-T1FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5737-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5737-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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