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参数资料
| 型号： | 2SC5751-T2FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC5751-T2FB-A |
DATA SHEET
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Document No. P15657EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5751
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (30 mW)
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD
FEATURES
Ideal for medium output power amplification
PO (1 dB) = 15.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm
HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
High reliability through use of gold electrodes
Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5751
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5751-T2
3 kpcs/reel
Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Collector) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
9.0
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
6.0
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
2.0
V
Collector Current
IC
50
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
205
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5752-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5753-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5753-T2-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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