型号: | 2SC5777 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-3PMLH, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 31K |
代理商: | 2SC5777 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC5015-KB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1787-E | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4650-F | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1798R | 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC4425N | 25 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC5778 | 制造商:Sanyo Fisher 功能描述:800V 15A 85W Bce Sanyo Transistor TO-3Pmlh |
2SC578 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR60V .5A .6W |
2SC5784(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A TSM |
2SC5785(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 10V 2A hfe1000 25ns PW-M |
2SC57880PA | 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |