- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48159 > 2SC5791 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5791 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC5791 |
2SC5791
No.6993-3/4
tstg
tf
0
PC -- Tc
IT03552
40
30
20
10
60
50
80
70
90
40
20
100
120
60
80
140
160
0
1.0
0.5
1.5
PC -- Ta
IT03551
2.0
2.5
3.0
3.5
60
40
20
80
160
120
140
100
No
heat
sink
IT03547
IT03549
0.1
SW Time -- IC
1.0
23
5
7
23
5
7
10
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
VCC=200V
IC / IB1=6
IB2 / IB1=3
R load
IT03550
Reverse Bias A S O
1.0
Forward Bias A S O
23
5
7 10
23
5
7
23
5
7
100
1000
0.01
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
100
1000
23
5
7
2
0.1
2
3
5
100
7
2
3
5
10
7
2
3
5
1.0
7
Tc=25
°C
Single pulse
300
s
100
s
1ms
10ms
P
C =80W
DC
operation
tstg
IT03548
0.1
SW Time -- IB2
1.0
23
5
7
23
5
7
10
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
VCC=200V
IC=5A
IB1=0.8A
R load
ICP=25A
IC=10A
L=500
H
IB2= --3A
Tc=25
°C
Single pulse
tf
Collector Current, IC -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
Base Current, IB2 -- A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Case Temperature, Tc --
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5791 | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5862 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5862 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5990 | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6065 | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5793-YD | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5808-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5810(TE12L,F) | 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。