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参数资料
| 型号： | 2SC5800-T1FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SC5800-T1FB-A |
Data Sheet P15660EJ1V0DS
2
2SC5800
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
600
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
–
600
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 5 mA
100
120
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
fT
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
fT
VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
5.0
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.0
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S21e2 VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz
4.5
5.5
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.9
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.6
0.8
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
80
hFE Value
100 to 145
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5801 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5808TP | 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5808TP-FA | 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5819 | 1500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5823 | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5808-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5810(TE12L,F) | 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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