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参数资料
| 型号： | 2SC5824T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | 2SC5824T100 |
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.C
Power transistor (60V, 3A)
2SC5824
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 200mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2071.
Applications
Low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5824
Type
T100
1000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
mW
1 Pw=100ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
3 Mounted on a 40x40x0.7(mm) ceramic substrate
2
1
°C
A
°C
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
VEBO
ICP
Tstg
Symbol
60
6
3
6
500
W
3
PC
2.0
150
55 to +150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UP
MPT3
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Sourse)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5824T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5825 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5825TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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