- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33419 > 2SC5831 2 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5831 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SC5831 |
2SC5831
No.7261-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC=1A
1000
4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
180
MHz
Inductive Load
Es / b
L=100mH, RBE=100
25
mJ
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=4mA
1.0
1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=4mA
2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100A, IE=0
55
65
75
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
55
65
75
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.2
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
3.5
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.5
s
Switching Time Test Circuit
Es / b Test Circuit
1000
100
7
5
7
5
3
2
10000
7
5
3
2
3
2
72
3
5
35
7
0.1
1.0
23
5
hFE -- IC
ITR06007
2.0
1.6
0.4
0.8
1.2
0
01
3
24
5
IC -- VCE
IB=0
150
A
200A
250
A
300
A
1000
A
1500
A
2000
A
350
A
400
A
450
A
500
A
ITR06005
VCE=5V
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
Cob -- VCB
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
1.2
2.8
2.0
2.4
1.6
IC -- VBE
ITR06006
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
VCE=5V
ITR06008
10
100
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
23
5
7
0.1
1.0
23
5
7
10
23
5
f=1MHz
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
VBB= --5V
VCC=20V
+VCC
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
50
RB
RL
20
VR
IC=250A, IB1= --250A, IB2=1A
PW=50
s, Duty Cycle≤1%
IB1= --IB2=4mA
TUT
RBE
IB
VCC=20V, RBE=100
TUT
L
300
10k
++
SW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5850 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851FATL-E | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851FBTL-E | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5852 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5856 | 14 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5832-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 55V 2A 1000 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 55V 55A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5842001KT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC584500L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。