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参数资料
| 型号： | 2SC5843-FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SC5843-FB-A |
DATA SHEET
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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
2SC5843
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)
Document No. PU10353EJ02V0DS (2nd edition)
Date Published September 2003 CP(K)
Printed in Japan
NEC Compound Semiconductor Devices 2003
The mark
shows major revised points.
FEATURES
Ideal for low noise, high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5843
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5843-T3
10 kpcs/reel
Pin 1 (Collector), Pin 6 (Emitter) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
8.0
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
2.3
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
1.2
V
Collector Current
IC
35
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
80
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
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PDF描述 |
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| 2SC5850 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5873STPQ | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC584500L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC584800A | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA 1006 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5855 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR 2- 1700V 10A 50W BCE |
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