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参数资料
| 型号： | 2SC5850 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, CMPAK-3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SC5850 |
2SC5850
Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
300
0.03
VCE = 12 V
Pulse test
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
100
50
0
Ambient Temperature
Ta (°C)
Collector
Power
Dissipation
P
C
*
(mW)
*Value on the glass epoxy board
(10 mm x 10 mm x 0.7 mm)
10
5
Typical Output Characteristics
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Pulse test
IB = 0
10
A
20
30
40
50
60
8
6
4
2
0
101520
25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
5
4
3
2
1
0
VCE = 12 V
Typical Transfer Characteristics
Base to Emitter Voltage
VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
0.1
0.3
1.0
3
10
30
200
100
0
Collector Current
IC (mA)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
25
Ta =
75°
C
Base to Emitter Voltage vs.
Ambient Temperature
VCE = 12 V
IC = 2 mA
–20
0
20
40
60
80
Ambient Temperature
Ta (°C)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Base
to
Emitter
Voltage
V
BE
(V)
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
IE = 0
f = 1 MHz
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
VCB (V)
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
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PDF描述 |
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