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参数资料
| 型号： | 2SC5859 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 23 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-21F2A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SC5859 |
2SC5859
2006-11-22
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Min
Typ.
Max
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 1700 V, IE = 0
―
1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
A
Collector Emitter Breakdown Voltage
V (BR) CEO IC = 10 mA, IB = 0
750
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 2 A
20
―
55
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 8 A
10
―
22
DC Current Gain
hFE (3)
VCE = 5 V, IC = 18 A
4.5
―
8
―
CollectorEmitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC = 18 A, IB = 4.5 A
―
3
V
BaseEmitter Saturation Voltage
VBE (sat)
IC = 18 A, IB = 4.5 A
―
1.0
1.5
V
Transition Frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.1 A
―
2
―
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
320
―
pF
Storage Time
tstg(1)
―
4
―
Fall Time
tf(1)
ICP = 8 A , IB1 (end) = 1 A
fH = 32 kHz
―
0.15
―
s
Storage Time
tstg(2)
―
1.8
―
Switching Time
Fall Time
tf(2)
ICP = 7.5 A, IB1 (end) = 1 A
fH = 100 kHz
―
0.1
―
s
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