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参数资料
| 型号： | 2SC5915(SMP) |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2SC5915(SMP) |
2SC5915
No.7408-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V, IE=0A
10
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V, IC=0A
10
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=2V, IC=1A
200
560
hFE2VCE=2V, IC=5A
100
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
200
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
60
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=5A, IB=250mA
180
360
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=5A, IB=250mA
0.93
1.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100μA, IE=0A
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100μA, RBE=0Ω
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=100μA, IC=0A
6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
1000
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
80
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7513-004
7001-002
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=3A
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
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PDF描述 |
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