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参数资料
| 型号： | 2SC5934 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SC5934 |
2SA2117 / 2SC5934
No.7906-1/5
Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.
Features
Adoption of MBIT process.
High-speed switching.
Large current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : ENN7906
81004 TS IM TB-00000011
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that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,
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at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition
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Specifications
( ) : 2SA2117
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--50)60
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)5
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)8
A
Base Current
IB
(--)1
A
Collector Dissipation
PC
2W
Tc=25
°C18
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)10
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)10
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
200
(560)700
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
(130)200
MHz
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SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SA2117 / 2SC5934
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High Current Switching
Applications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5945TR-E | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5949-O | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC5949 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5950 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC594600L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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