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参数资料
| 型号： | 2SC5916TLR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SC5916TLR |
2SC5916
Transistor
2/3
!
!Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
hFE
Cob
Ton
Min.
30
6
120
250
15
25
1.0
200
400
390
V
IC
=100
A
IC
=1mA
IE
=100
A
VCD
=2V, IC=100mA
VCB
=20V
VEB
=4V
IC
=1.0A, IB=0.1A
IC
=2A
IB1
=200mA
IB2
=
200mA
VCC
25V
VCE
=10V, IE=
100mA, f=10MHz
VCB
=10V, IE=0, f=1MHz
V
A
MHz
mV
pF
ns
Tstg
100
ns
Tf
20
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector
base breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector
emitter staturation voltage
Collector
emitter breakdown voltage
Emitter
base breakdown voltage
!
!hFE RANK
QR
120-270
180-390
!
!Electrical characteristic curves
Fig.1 Safe operating area
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Single non repoetitive pulse
DC
1ms
10ms
110
0.1
100
10
1
0.1
0.01
100ms
Fig.2 Switching Time
1
0.01
0.1
10
1000
100
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
SWITCHING
TIME
(ns)
Ta
=25°C
VCC
=25V
IC/IB
=10/1
Tstg
Tf
Ton
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
VCE
=2V
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE
=5V
VCE
=3V
VCE
=2V
Fig.4 DC current gain vs. collector
current
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat
)(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
10
1
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB
=10/1
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
0.001
0.1
0.01
10
1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(
sat)(V)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB
=10/1
IC/IB
=20/1
Ta
=25°C
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