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参数资料
| 型号： | 2SC5930 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2SC5930 |
2SC5930
2004-07-26
2
Marking
Figure 1
Switching Time Test Circuit &
Timing Chart
IB2
IB1
20
s
Output
Input
IB2
IB1
R
L
VCC
Duty cycle
< 1%
C5930
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5930(T2MITUM,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC5930(TPF2,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC5931-RL | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5936 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PANASONIC TRANSISTOR |
| 2SC593900L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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