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参数资料
| 型号： | 2SD1947A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2SD1947A |
2SD1947A
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SD1947A
High-Current Switching Applications
Lamp, Solenoid Drive Applications
High DC current gain: hFE = 500 to 1500 (IC = 1 A)
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V (max) (IC = 5 A)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
10
Collector current
Pulse
ICP
15
A
Base current
IB
2
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
Collector
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PDF描述 |
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