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参数资料
| 型号： | 2SD1947A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2SD1947A |
2SD1947A
2004-07-26
4
Safe Operating Area
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
0
4
8
12
16
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Common emitter
VCE = 1 V
55
25
Tc = 100°C
0.1
Common emitter
IC/IB = 100
0.3 0.5
1
3
5
10
30
0.3
0.5
1
3
5
10
100
25
Tc = 55°C
1
3
5
10
30
50
100
300
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
10 ms*
100 s*
IC max (pulsed)*
IC max
(continuous)
100 ms*
1 ms*
DC operation
Tc = 25°C
VCEO max
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ran
si
en
tth
er
m
al
re
si
st
an
ce
r th
(°
C/
W
)
0.001
1000
10
100
0.01
0.1
30
0.3
3
1
100
10
1
0.1
Curves should be applied in thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
(1) Infinite heat sink (Tc = 25°C)
(2) No heat sink
(1)
(2)
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