| 型号: | 2SC6042 |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 1000 mA, 375 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 191K |
| 代理商: | 2SC6042 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6052 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6054J | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6060 | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6062 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6072 | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6042,T2HOSH1Q(J | 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC6042,T2WNLQ(J | 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):375V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,800mA 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC6043 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6043AE | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
| 2SC6043-AE | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |