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参数资料
| 型号： | 2SC6077 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10T1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | 2SC6077 |
2SC6077
2006-10-20
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6077
○
Power Amplifier Applications
○
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A）
High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
VCEX
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
9
V
DC
IC
3.0
A
Collector current
Pulse
ICP
5.0
A
Base current
IB
1.0
A
Collector power dissipation
PC
1.8
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55～150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 160 V, IE = 0
－
1.0
uA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 9 V, IC = 0
－
1.0
uA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
80
－
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 1 mA
150
－
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
180
－
450
DC current gain
hFE (3)
VCE = 2 V, IC = 1 A
100
－
VCE (sat) (1) IC = 0.5 A, IB = 50 mA
－
0.3
V
Collector emitter saturation voltage
VCE (sat) (2) IC = 1 A, IB = 100 mA
－
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 100 mA
－
1.5
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
－
150
－
MHZ
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0,f = 1MHZ
－
14
－
pF
Rise time
tr
－
0.05
－
Storage time
tstg
－
0.4
－
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 100 mA
Duty cycle ≦1%
－
0.15
－
us
Unit: mm
JEDEC
－
JEITA
－
TOSHIBA
2-10T1A
Weight:1.5g(typ)
1 : BASE
2 : COLLECTOR（HEAT SINK）
3 : EMITTER
I B1
20 s
VCC = 24 V
Output
24
Ω
IB2
IB1
Input
I B2
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