- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33420 > 2SC6077 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC6077 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10T1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | 2SC6077 |
2SC6077
2006-10-20
3
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.1
Ta
= 100°C
55
25
1
10
0.1
0.01
Ta
= 100°C
55
25
0.001
0.01
0.1
1
10
1000
1
0.001
10
100
0.01
0.1
1
10
Ta
= 100°C
55
25
0
0.4
1.2
1.6
0
1
2
3
Ta
= 100℃
25
55
0.8
IB = 2 mA
100
30
5
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
10
300
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
c
urr
ent
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
urr
ent
ga
in
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
C
olle
ct
or-e
m
itt
er
s
at
ur
at
ion
vo
ltag
e
V
CE
(sat
)
(V
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Bas
e-
em
itt
er
sa
tu
rat
ion
v
olt
age
V
BE
(s
at
)
(V)
Common emitter
VCE = 2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
= 10
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
Ta
= 25°C
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
VCE = 2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
IC/IB
= 10
Single nonrepetitive pulse
2
50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6084 | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6091 | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6095 | 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6095 | 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6096 | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6078 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 2SC6078(TP,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC6079 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC6080 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching |
| 2SC6081 | 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。