参数资料
型号: 2SC6092LS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: TO-220FI(LS), 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 50K
代理商: 2SC6092LS
2SC6092LS
No. A0834-3/4
Forward Bias A S O
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Ta
Case Temperature, Tc --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Tc
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Reverse Bias A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
0.1
1.0
23
5
7
1.0
10
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
Collector Current, IC -- A
SW Time -- IC
IT02647
tstg
tf
0.1
23
5
7
23
5
7
1.0
2
3
5
7
1.0
10
2
3
5
7
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
Base Current, IB2 -- A
IT02648
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
s
SW Time -- IB2
VCC=200V
IC / IB1=5
IB2 / IB1=2
R load
VCC=200V
IC=3A
IB1=0.6A
R load
tstg
tf
0
20
40
60
80
100
120
2.5
140
160
2.0
1.5
1.0
0.5
IT12438
No
heat
sink
0
40
35
25
30
20
15
10
5
20
060
40
80
100
140
120
160
IT12439
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
10
3
2
5
23
5
7 100
23
1000
23
57
IT12436
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
10
3
2
5
1.0
23
5 7 10
23
5 7 100
1000
23
5 7
IT12437
ICP=20A
DC
operation
1ms
10ms
300
s
IC=8A
100
s
L=500
H
IB2= --1A
Tc=25
°C
Single pulse
Tc=25
°C
Single pulse
相关PDF资料
PDF描述
2SC6098 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6099 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6099-TL 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC730 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-39
2SC752GTM SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC6093LS 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SC6094 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SC6094-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC6095 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications
2SC6095-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2.5A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2