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参数资料
| 型号： | 2SC6095 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SC6095 |
2SC6095
No. A0411-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=500mA
350
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
14
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=1A, IB=50mA
100
150
mV
VCE(sat)2
IC=1A, IB=100mA
90
135
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=100mA
0.9
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
80
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
6.5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
920
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
32
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
VR10
RB
VCC=40V
10IB1= --10IB2=IC=0.5A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
470
F
100
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6096 | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6097-TL | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6097 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6100 | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC6101 | 5000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6095-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2.5A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6096 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications |
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