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参数资料
| 型号： | 2SC6095 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SC6095 |
2SC6095
No. A0411-3/4
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
VCE(sat) -- IC
VBE(sat) -- IC
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
hFE -- IC
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Ta=75
°C
--25
°C
IT11076
25
°C
0.01
3
25
0.1
73
25
7
3
25
1.0
0.1
0.01
5
3
2
7
5
3
7
2
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2.5
2.0
1.5
0.5
1.0
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
IT11070
5mA
10mA
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
IB=0mA
2mA
1mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE=5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IT11071
5
3
2
100
10
7
IT11074
Ta=75
°C
--25
°C
IT11075
IC / IB=10
25
°C
3
1.0
2
3
Ta= --25°C
25°C
75°C
2
7
5
IC / IB=10
IT11077
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
100
1000
7
5
3
2
5
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
5
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
7
100
10
1000
5
3
2
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
3
25
1.0
0.1
3
25
1.0
73
25
7
2
3
10
57 100
0.1
0.01
5
3
2
7
5
3
7
5
3
2
0.01
3
25
0.1
73
25
7
2
3
1.0
5
VCE=5V
IT11072
IT11073
IC / IB=20
VCE=10V
f=1MHz
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC6096 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications |
| 2SC6096-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SC6097 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
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