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参数资料
| 型号： | 2SC6099 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SC6099 |
2SC6099
No. A0435-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=300mA
300
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
13
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=100mA
110
165
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=1A, IB=100mA
0.9
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A, IE=0A
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A, IC=0A
6.5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
1100
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
Package Dimensions
unit : mm
7518-003
7003-003
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
VR10
RB
VCC=50V
10IB1= --10IB2=IC=0.5A
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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