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参数资料
| 型号： | 2SC6117 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PMLH, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SC6117 |
2SC6117
No. A0901-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4.5A, IB=0.9A
2
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4.5A, IB=0.9A
1.5
V
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=1A
10
hFE2VCE=5V, IC=5A
5.3
7.5
Diode Forward Voltage
VF
IEC=7A
2
V
Fall Time
tf
IC=3A, IB1=0.6A, IB2=--1.2A
0.2
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7504-001
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
++
50
INPUT
OUTPUT
RL=66.7
100F
470F
PW=20s
IB1
D.C.≤1%
IB2
16.0
3.4
12
3
21.0
5.0
22.0
0.8
20.4
4.0
2.0
2.8
2.1
5.45
0.7
0.9
3.5
8.0
5.6
3.1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PMLH
01
357
9
0
24
6
8
1
2
3
4
5
6
7
8
10
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
A
0.2A
0.05A
0.4A
0.6A
0.8A
1.0A
2.0A
1.2A
1.4A
1.6A
IC -- VCE
IT01800
IT01801
VCE=5V
25
°C
-40
°C
T
a=120
°C
IB=0A
1.8A
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