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参数资料
| 型号： | 2SC998 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SC998 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SCR522MT2L | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0968GR | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1033K | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1101-C | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1101-C | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC999A | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 2.58A 50W BEC |
| 2SCR293P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (30V / 1A) |
| 2SCR293P5T100 | 功能描述:NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SCR293PFRAT100 | 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SCR293PT100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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