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参数资料
| 型号： | 2SCR522MT2L |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | VMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | 2SCR522MT2L |
2/2
www.rohm.com
○
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.A
Data Sheet
2SCR522M / 2SCR522EB / 2SCR522UB
Electrical characteristics curves
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
012
345
IB=1.0mA IB=0.9mA
IB=0.7mA
IB=0.6mA
IB=0.5mA
IB=0.4mA
IB=0.3mA
IB=0.2mA
IB=0.1mA
IB=0mA
IB=0.8mA
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
0
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
VCE =2V
IC/IB= 10/1
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
IC/IB = 20/1
IC/IB =10/1
Cob
Cib
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0
IC=0
Ta=25
°C
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
DC
CURENT
GAIN
:h
FE
TRANSITION
FREQUENCY
:f
T(MHz)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
Cob
(pF)
Cib
(pF)
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
VCE=2V
VCE = 10V
Ta=25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD0968GR | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SCR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(20V,0.2A) |
| 2SCR522UBTL | 功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 20V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SCR523EB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(50V,0.1A) |
| 2SCR523EBTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SCR523M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(50V,0.1A) |
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