参数资料
型号: 2SCR533DTL
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: CPT3, SC-63, 3 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 486K
代理商: 2SCR533DTL
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SCR533D
Switching time test circuit
BASE CURENT WAVEFORM
COLLECTOR CURRENT WAVEFORM
VIN
Pw
Pw 50μs
DUTY CYCLE≦1%
t
stg
IB1
IB2
90%
10%
t
on
tf
IC
RL=6.8
IB1
IB2
IC
VCC 10V
~_
5/5
2010.12 - Rev.A
相关PDF资料
PDF描述
2SCR554PT100 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0601AQ 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0602S 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD0661AT 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD661AS 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SCR533P 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 3A)
2SCR533P_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 3A)
2SCR533P5T100 功能描述:NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1
2SCR533PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1
2SCR533PT100 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 3A Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel