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参数资料
| 型号： | 2SD0592S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 25V的五（巴西）总裁| 1A条一（c）|至226 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SD0592S |
2SD0592A
3
SJC00189CED
I
CEO
T
a
0
160
40
120
80
1
10
10
2
10
3
10
4
V
CE
=
10 V
Ambient temperature T
a
(
°
C)
I
C
a
)
I
C
a
=
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD592S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226 |
| 2SD592R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD0601 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD0601A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUB: 2SD0601A0L |
| 2SD0601A(2SD601A) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SD0601A0L | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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