- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录222237 > 2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD0814A |
| 英文描述： | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 中文描述： | 小信号装置-小信号晶体管-一般使用低频Amplifires |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SD0814A |
2SD0814A
2
SJC00196CED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
1.8 mA
1.6 mA
1.4 mA
1.2 mA
1.0 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
IB
= 2.0 mA
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
02.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
3
10
30
100
0
5
4
3
2
1
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1799 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管) |
| 2SD1800 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管) |
| 2SD1947A | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1953 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驱动器应用的NPN硅外延平面型晶体管) |
| 2SD2165M | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD0814A(2SD814A) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SD0814AQ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD0814AR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
| 2SD0814ARL | 功能描述:TRANS NPN 185VCEO 50MA MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。