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参数资料
| 型号： | 2SD0875 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | For Low-Frequency Power Amplification |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SD0875 |
Transistors
2SD0875
(2SD875)
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: November 2002
SJC00198CED
For low-frequency power amplification
Complementary to 2SB0767 (2SB767)
■
Features
Large collector power dissipation P
C
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
Mini power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
5
V
Collector current
I
C
0.5
A
Peak collector current
I
CP
P
C
T
j
1
A
Collector power dissipation
*
1
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
h
FE1 *
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
130
330
h
FE2
V
CE(sat)
V
CE
= 50 V, I
C
= 500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
50
100
Collector-emitter saturation voltage
0.2
0.4
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
0.85
1.2
V
Transition frequency
f
T
C
ob
120
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
11
20
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
3.0
±
0.15
45
2
±
0
0
1.5
±
0.1
4
2
±
0
3
+
–
1
+
–
0.5
±
0.08
0.4
±
0.04
0.4
±
0.08
1
2
3
1.5
±
0.1
3
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MiniP3-F1 Package
Rank
R
S
h
FE1
130 to 220
185 to 330
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Note)*: Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm
2
or more, and the
board thickness of 1.7 mm for the collector portion
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Marking Symbol: X
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PDF描述 |
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| 2SD0875R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-243 |
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