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参数资料
| 型号： | 2SD0875 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | For Low-Frequency Power Amplification |
| 中文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SD0875 |
2SD0875
2
SJC00198CED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
Safe operation area
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Copper plate at the collector
is more than 1 cm
2
in area,
1.7 mm in thickness
C
C
0
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
a
=
25
°
C
I
B
=
10 mA
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
/ I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
B
B
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
1000
0
300
250
200
150
100
50
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
T
T
Emitter current I
E
(mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
0.1
1
10
100
10
3
10
2
10
1
1
100
Single pulse
T
C
=
25
°
C
DC
t
=
1 s
I
CP
I
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
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