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参数资料
| 型号： | 2SD1012H |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SD1012H |
2SB808/2SD1012
No.676—3/5
2
5
3
2
5
3
100
10
1000
2
5
3
10000
23
5
1.0
23
5
10
23
5
100
1000
ITR08389
VCE(sat) -- IC
IC / IB=10
Cob -- VCB
10
1.0
10
7
5
3
2
23
27
35
ITR08388
f=1MHz
hFE -- IC
2
3
5
2
3
5
7
100
7
1000
10
23
5
1.0
23
5
10
23
5
100
23
5
1000
ITR08387
2SB808
2SD1012
VCE=2V
2SB808
2SD1012
2SB808
2SD1012
A S O
0.1
0.01
5
7
3
1.0
5
7
3
2
1.0
10
57
2
3
25
7
2
3
ITR08390
100ms
10ms
2SB808 / 2SD1012
DC
operation
ICP=1.5A
IC=0.7A
(For PNP, minus sign is omitted.)
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC — mA
Output
Capacitance,
Cob
—
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC — mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
mV
Collector-to-Emitter Voltage, VCE — V
Collector
Current,
I C
—
A
0
320
280
240
200
160
120
80
40
020
40
60
100
120
140
80
PC -- Ta
ITR09908
2SB808 / 2SD1012
Collector
Dissipation,
P
C
—
mW
Ambient Temperature, Ta —C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1012-H | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1012F | 700 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB808 | 700 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1018M | 4 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1018 | 4 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1015 | 制造商:SONY 制造商全称:Sony Corporation 功能描述:SILICON NPN LEC SYMMETRY TRANSISTOR |
| 2SD1020 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SD1020E | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
| 2SD1020F | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
| 2SD1020H | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR |
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