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参数资料
| 型号： | 2SD1209K |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2SD1209K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1220-R(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-O(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-Y(2-7B1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220-Y(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1220(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1209KTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD1210 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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