型号: | 2SD1209K |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 130K |
代理商: | 2SD1209K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1220-R(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1220-O(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1220-Y(2-7B1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1220-Y(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1220(2-7J1A) | 1500 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1209KTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
2SD1210 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |