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参数资料
| 型号： | 2SD1263AP |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | 2SD1263AP |
2SD1263, 2SD1263A
2
SJD00179BED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
012
210
48
6
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=14mA
12mA
10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
TC=25C
0
2.4
0.4
2.0
0.8
1.6
1.2
0
0.8
1.6
2.4
4.0
3.2
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
TC=100C
25C
–25C
VCE=10V
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
10
102
103
104
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=10V
TC=100C
25C
–25C
0.001
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1 000
Collector current I
C (A)
Transition
frequency
f
T
(MHz)
VCE=10V
f=10MHz
TC=25C
0.001
1
0.01
0.1
1
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=1ms
t=10ms
DC
2SD1263
2SD1263A
1
102
101
10
103
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD1263Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186 |
| 2SD1263R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186 |
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