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参数资料
| 型号： | 2SD1275Q |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | 2SD1275Q |
2SD1275, 2SD1275A
2
SJD00189BED
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
06
15
24
3
0
1
2
3
5
4
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
IB=2.0mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
1.2mA
1.4mA
1.6mA
1.8mA
0
2
4
6
10
8
0
3.2
0.8
2.4
1.6
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=4V
TC=100C
–25C
25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=250
100C
25C
TC=–25C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=4V
25C
–25C
TC=100C
0.1
1
10
100
1
10
102
103
104
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=10ms
DC
t=1ms
2SD1275
2SD1275A
1
102
101
10
103
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1275AP | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1277AQ | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1277AR | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1277Q | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1279 | 10 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1275R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1276 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1276/2SD1276A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SD1276. 2SD1276A - NPN Transistor Darlington |
| 2SD1276A | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD1276AP | 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 4A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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