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参数资料
| 型号： | 2SD1409A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SD1409A |
2SD1409A
2004-08-25
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington)
2SD1409A
High Voltage Switching Applications
High DC current gain: hFE = 600 (min.) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
6
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 2.5 k
≈ 200
Collector
Industrial Applications
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PDF描述 |
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参数描述 |
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