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参数资料
| 型号： | 2SD1409A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SD1409A |
2SD1409A
2004-08-25
3
Bas
e
em
itt
er
s
at
urat
ion
v
olt
age
V
BE
(s
at)
(V)
Collector
emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
c
urr
ent
I C
(A)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
cu
rren
t
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
C
olle
ct
or
e
m
itt
er
s
at
ur
at
ion
vo
lta
ge
V
CE
(
sa
t)
(V
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Base
emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
Collector
emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
0
Common emitter
Tc = 25°C
30
IB = 0.5 mA
6
2
3
4
5
2
4
6
8
10
1
20
50
10
5
2
1
0
5000
0.01
0.3
1
3
10
30
50
1000
3000
0.1
0.03
100
Common emitter
VCE = 2 V
500
300
30
25
55
Tc = 100°C
0
10
Common emitter
VCE = 2 V
Tc = 100°C
6
25
1
3
4
5
0.4
0.8
2.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2
55
Common emitter
IC/IB = 100
20
0.3
0.03
0.3
1
3
25
Tc = 55°C
0.1
3
1
0.5
5
10
100
3
10
30
100
300
0.01
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (Pulse)*
IC max
DC operation
(Tc = 25°C)
500 s*
1 ms*
VCEO max
1000
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
20
0.03
0.05
(Continuous)
10 ms*
100 ms*
0.1
0.01
30
Common emitter
IC/IB = 100
0.1
1
10
1
10
0.3
3
25
100
Tc = 55°C
5
0.5
0.03
0.3
3
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