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参数资料
| 型号： | 2SD1419DETL-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, SC-68, UPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SD1419DETL-E |
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SD1419
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0788-0200
(Previous ADE-208-1150)
Rev.2.00
Aug.10.2005
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SB1026
Outline
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
4
1
2
3
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A
(Package name: UPAK R )
Note:
Marking is “DE”.
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
120
V
Collector to emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter to base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
1
A
Collector peak current
iC(peak)*
1
2
A
Collector power dissipation
PC*
2
1
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1419DETL-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DE | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420 | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EC | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EB | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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