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参数资料
| 型号： | 2SD1470 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | UPAK-3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | 2SD1470 |
Data Sheet
D15068EJ2V0DS
5
2SK3483
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
20
40
60
80
100
120
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
Pulsed
10 V
VGS = 4.5 V
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1MHz
Ciss
Coss
Crss
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-m
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
td(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Switching
Time
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
VDD = 50 V
VGS = 10 V
RG = 0
td(off)
td(on)
tf
tr
V
DS
-
Drain
to
Source
Voltage
-
V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
2
4
6
8
10
ID = 28 A
VDS
VGS
VDD = 80 V
50 V
20 V
V
GS
-
Gate
to
Drain
Voltage
-
V
ID - Drain Current - A
QG - Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT
ISD
-Diode
Forward
Current
-A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
Pulsed
0 V
VGS = 10 V
trr
-Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A /
s
VGS = 0 V
VSD - Source to Drain Voltage - V
IF - Drain Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1471DT | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1475 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD1474PQ | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1475 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1476 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB |
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