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参数资料
| 型号： | 2SD1520(L) |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD1520(L) |
2SD1520(L)/(S)
Silicon NPN Epitaxial
Application
Medium speed power amplifier
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
2.7 k
(Typ)
0.6 k
(Typ)
ID
1
2, 4
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1588-M-AZ | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1588-AZ | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1588-L | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1588-M | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1623S | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1525 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1525(F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1526 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1527(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1531 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB |
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