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参数资料
| 型号： | 2SD1616G-G-AB3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2SD1616G-G-AB3-R |
2SD1616/A
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R201-008.D
TYPICAL CHARACTERISTICS
Collector Output Capacitance
Collector-Base Voltage, VCB (V)
C
a
p
a
ci
tanc
e,
C
ob
(p
F)
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
1
3
5
10
30 50
100
300
IE=0
f=1.0MHz
Current Gain-Bandwidth Product
Collector Current, IC (A)
C
u
rre
nt
Gai
n
-Ba
n
d
w
id
th
P
rod
uc
t,
f
T
(MH
z)
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
10
5
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
VCE=2V
Switching Time
Collector Current, IC (A)
0.3
0.1
1
0.5
0.3
0.1
0.01
0.003
0.01
VCC=10V
IC=10×IB1= -10×IB2
0.05
0.03
0.001
0.03
0.05
0.5
1
3
5
10
tON
tF
tSTG
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