参数资料
型号: 2SD1624L-S-AB3-R
厂商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE PACKAGE-3
文件页数: 1/5页
文件大小: 237K
代理商: 2SD1624L-S-AB3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1624
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2007 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-005.C
HIGH CURRENT SWITCHIG
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SD1624 applies to voltage regulators, relay drivers,
lamp drivers, and electrical equipment.
FEATURES
* Adoption of FBET, MBIT processes
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* Fast switching speed.
* Large current capacity and wide ASO.
Lead-free: 2SD1624L
Halogen-free: 2SD1624G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1624-x-AB3-R
2SD1624L-x-AB3-R
2SD1624G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
MARKING
XX
DG
Date Code
L: Lead Free
G: Halogen Free
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PDF描述
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2SD1624T 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD1628G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
2SD1624-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1624S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624S-TD-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624T-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1624T-TD-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2