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参数资料
| 型号： | 2SD1664T100/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SD1664T100/Q |
(96-207-D12)
FExternal dimensions (Units: mm)
249
Transistors
Medium Power Transistor (32V, 1A)
2SD1664 / 2SD1858
FFeatures
1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical).
(IC /IB = 500mA / 50mA)
2) Complements the
2SB1132 / 2SB1237.
FStructure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1664T100/P | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1664T100R | 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1897/B | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1897/C | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1935-7 | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1664T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1666 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 3A 20W BCE |
| 2SD1667 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 5A 20W BCE |
| 2SD1667R | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 5A 100 to 200 TO-220ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 5A TO-220ML |
| 2SD1668 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 7A 25W BCE |
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