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参数资料
| 型号： | 2SD1682-S |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SD1682-S |
2SB1142 / 2SD1682
No.2060-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
140
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(25)16
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--250)110
(--500)300
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(35)35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7516-002
12
3
8.0
1.6
0.8
0.7
2.4
4.8
0.75
4.0
11.0
15.5
7.5
3.0
1.5
1.7
1.0
1.4
1.0
3. 6
3.3
0.8
3.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126ML
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
2SB1142
2SD1682
IB=0mA
8mA
10mA
20mA
18mA
16mA
14mA
12mA
2mA
4mA
6mA
ITR09032
0
--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
--20mA
--25mA
--30mA
--10mA
--15mA
--2mA
--3mA
--1mA
--5mA
IB=0mA
ITR09031
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1682-U | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1682 | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1142-T | 2.5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1682-U | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1682 | 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1683S | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1683T | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1684 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB |
| 2SD1684T | 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126 |
| 2SD1685F | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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