型号: | 2SD1685E |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-126ML, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | 2SD1685E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1710C | 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1788 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1853 | 1500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD1857ATV2N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1857ATV2/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD1685F | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1685G | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1691-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN Power Transistor, 60V, 5.0A, TO-126 |
2SD1691-AZ(L) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SD1691-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |