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参数资料
| 型号： | 2SD1788 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | 2SD1788 |
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
DarlingtonTransistor
4A NPN
2SD1788
(TP4L10)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`+150
Junction Temperature
Tj
+150
Collector to Base Voltage
VCBO
100
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
100
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
}4A
Collector Current Peak
ICP
}6A
Base Current DC
IB
0.3
A
Base Current Peak
IBP
0.5
A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
25
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case AC 1 minute
2kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nmj
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 100V
Max 0.1
mA
ICEO
VCE = 100V
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 7V
Max 5
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 3V, IC = 1A
Min 1,500
Max 30,000
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 1A
Max 1.5
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 2mA
Max 2.0
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 5.0
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.4A
TYP 20
MHz
Turn on Time
ton
Max 2
IC = 1A
Storage Time
ts
IB1 = IB2 = 2mA
Max 12
s
RL = 25
Fall Time
tf
VBB2 = 4V
Max 5
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