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参数资料
型号： 2SD1788
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： ITO-220, 3 PIN
文件页数： 9/9页
文件大小： 348K
代理商： 2SD1788
0
5
10
15
20
25
0
50
100
150
2SD1788
Derating Curve
Ambient Temperature Ta [
°C]
100mm
× 150mm × 2mm Al
Infinite heatsink
100 x 100 x 2
50 x 50 x 2
No heatsink
Allowable
Transistor
Dissipation
P
T
[W]
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PDF描述
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参数描述
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2SD1788-7000 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2SD1788-7012 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2SD1788-7100 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2SD1788-7112 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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