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参数资料
| 型号： | 2SD1733F5/QR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD1733F5/QR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1862TR/NP | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4132T101/NP | 2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2098T101/QS | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1412TR/Q | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1182TR/P | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1733TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1733TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1733TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1733TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1739 | 制造商:. 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:MATSU 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:Matsushita Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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