收藏本站
参数资料
型号： 2SD1796
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： TO-220F, 3 PIN
文件页数： 4/4页
文件大小： 45K
代理商： 2SD1796
21
No. 1 (TO-3P)
No. 2 (MT-200)
No. 3 (TO-220)
No. 4 (TO-220F)
No. 5 (TO-3PF)
External Dimensions
15.6±0.3
5.45±0.1
9.6
a
b
±0.2
4.8±0.2
2.0±0.1
BC
E
3.2φ
±0.1
2
+0.2
0.1
3
+0.2
0.1
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
1.7
+0.2
0.1
20.0min
19.9
2.0
4.0
3.5
±0.3
5.0
±0.7
a. Part No.
b. Lot No.
15.6
a
b
±0.2
5.5±0.2
3.45±0.2
1.75±0.15
2.15±0.15
5.45±0.1
3.35
0.8
±0.2
5.45
1.5
BC
E
4.4
1.5
±0.1
3.3
φ
±0.2
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
23.0
5.5
±0.3
9.5
±0.2
0.8
1.6
3.3
3.0
±0.2
a. Part No.
b. Lot No.
36.4±0.3
24.4
a
9
2
3
b
BCE
±0.2
6.0
2.1
±0.2
5.45±0.1
1.05
+0.2
0.1
0.6
+0.2
0.1
3.0
+0.3
0.1
20.0min
4.1max
21.4
7
±0.3
3.2
2-
φ
±0.1
a. Part No.
b. Lot No.
10.2±0.2
4.8±0.2
2.0
1.4
2.5
BC E
±0.1
3.75
φ
±0.2
0.65
1.35
a
b
+0.2
0.1
3.0
±0.2
8.8
4.0max
±0.2
16.0
12.0min
±0.7
a. Part No.
b. Lot No.
10.0±0.2
4.2±0.2
2.8
0.5
C
1.35±0.15
2.4±0.2
2.2±0.2
3.3
a
b
a. Part No.
b. Lot No.
φ
±0.2
0.85
2.54
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
16.0
13.0min
±0.3
8.4
±0.2
4.0
±0.3
0.8
3.9
±0.2
(unit: mm)
2-1 Power Transistors
相关PDF资料
PDF描述
2SA1567 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2081 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1420 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P
2SB1259 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2017 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1799-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD1801S-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801S-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*